三星DS部分存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片规划。Foundry业务部方面也现已依据该规划，选用4nm试产。

  HBM，即高带宽存储器，凭仗其杰出的功能，在高功能核算（HPC）、人工智能（AI）以及图形处理（GPU）等前沿范畴发挥着无足轻重的效果。

  据知情的人悄悄表明，运行时发热一直是限制HBM开展的首要妨碍，而在整个仓库结构中，逻辑芯片更是发热的“重灾区”。因而，运用先进的制程技能关于提高HBM4的能效与功能体现至关重要。

  在制作方面，三星不只使用自家4nm技能制作逻辑芯片，还引入了10nm制程来出产DRAM，以打造更超卓的HBM4产品。

  从职业数据剖析来看，HBM4规范支撑高达2048位的接口和6.4GT/s的数据传输速率。与HBM3E比较，HBM4的单个仓库带宽已飙升至1.6TB/s，这一明显的提高使得内存体系的数据吞吐能力大幅增强，然后可以更有效地满意人工智能、深度学习、大数据处理以及高功能核算等范畴对内存功能的苛刻要求。

  现在，三星的HBM4开发作业正稳步推动，估计将于2025年下半年正式投入量产。